韩媒“拉踩”中国芯片：手机内存技术落后韩国3年时间，HBM芯片造出4个报废3个
前沿导读 据《观察者网》指出，韩国《朝鲜日报》爆料称中国长鑫存储制造HBM3芯片的良品率只有25%，相当于造出4个芯片其中3个报废，低于行业平均良率水平。 在说完中国企业之后，韩媒又开始表扬本土企业，称赞SK海力士早在2022年就实现了HBM3的规模量产，其产品良品率超90%。 话里话外，无不透露出韩媒抬高自身技术，贬低中国技术的恶劣行为。 参考资料： 王一，公众号：大橘财经说长鑫“造4个芯片报废3个”，韩媒是破防了？ 02 技术工艺 登录《朝鲜日报》官网查询相关信息，韩媒发布了两篇比较关键的“小作文”。 一篇文章表示长鑫存储的HBM3良率较低，在25%左右，没有达到半导体产业稳定生产的80%良率门槛。 另一篇文章则表示长鑫存储量产的LPDDR6内存，在制造工艺上落后韩国企业3年左右。三星和SK海力士已经在DRAM内存上采用10nm先进工艺制造，而中国企业还停留在16nm节点，双方存在3年左右的工艺差距。 三星、SK海力士研发内存芯片的历史长达几十年，三星早在1983年就开始涉足内存芯片技术，SK海力士的前身是现代电子，现代电子在1986年通过代工模式引入64K内存芯片量产，开始涉足内存芯片的技术研发。 1999年，现代电子收购LG半导体，成为全球第二大DRAM内存厂商。 2012年，现代电子被SK集团收购，正式更名为SK海力士。 如今三星和SK海力士已经成为了全球存储芯片产业的巨头，两家公司在闪存芯片领域的市场份额合计达到了47%，内存芯片的市场份额更是达到了65%。 而中国的存储芯片企业，长江存储、长鑫存储、福建晋华这三家几乎都创立于2016年，从创立到现在也不过10年时间。 让中国企业用10年时间去追赶国外巨头几十年建立起来的技术优势和市场地位，这很难，甚至可以说不现实。 长鑫存储最新量产的LPDDR6、长江存储开发晶栈架构和232层及以上堆叠的闪存芯片，这都是实打实的技术成果，也受到了许多中国品牌的订单支持。 但是在ai产业所需的HBM内存、企业级SSD产品上，中国企业的规模并没有达到韩国企业的水平。 这也是没办法的事情，制造HBM3E、HBM4等先进内存芯片需要引入EUV光刻机来制造部分的核心关键层，EUV光刻机又是美国对中国企业严防死守的制造设备，这极大减缓了中国企业在HBM内存领域的发展速度。 不只是中国企业，哪怕是SK海力士等韩国企业在中国大陆地区建设的合资工厂，也不被允许获得EUV光刻机来升级制造工艺。 正在推进的match法案，又将长鑫存储和长江存储这俩规模最大的中国存储芯片制造商列入全面制裁清单，在封锁EUV的基础上继续封锁ASML DUV光刻机的对华出口，并且对此前已购设备进行售后方面的限制。 这种外部限制让本就处于追赶状态的中国芯片产业“雪上加霜”，韩媒在这种情况下对中国存储企业发文进行点评，唱衰中国存储技术，字里行间透露出对于中国存储芯片发展所产生的“紧迫心理”。 03 紧迫感 HBM芯片并不是简单的将多个DRAM芯片叠放在一起，为了提升存储效率，需要在DRAM上加工出数千个微孔，然后填入铜材料，形成贯穿硅片的垂直电气连接，这也是所谓的硅通孔（TSV）技术。 韩国企业拿着全球顶级制造设备发展芯片，这本身就占据了供应链优势。而中国企业无法获得最前沿的设备，只能继续用此前购买的老设备或者是采购国产设备继续制造产品。 在设备落后的情况下，长鑫实现了LPDDR6的量产商用、长江存储基于自主开发的Xtacking架构，实现了232层及以上层数的闪存堆叠，正在向300层以上的堆叠层数发展。 并且两家存储企业依靠消费级产品所获取的经济收入，开始将产品逐步蔓延至ai产业。 据韩媒指出，长鑫存储虽然在最前沿的技术上落后韩国企业，但是其消费级内存技术正在加快追赶。 中国拥有华为、小米、OPPO、VIVO这些手机品牌，对于长鑫存储来说，国产手机品牌的支持可以为中国存储芯片提供市场化以及积累技术经验的平台，这将决定中国存储芯片与国际水平在未来的差距。 有了市场和商业订单，芯片制造技术才能越来越成熟。哪怕是英特尔、三星、SK海力士、台积电这种老牌的芯片制造企业，也不是一上来就实现高水平的良品率，必须依靠上下游供应商提供的制造数据，反复进行技术调试，逐步提升制造稳定性。 韩国产业通商资源部长官金正官在8月份接受采访时指出，中国半导体在材料、部件、装备领域都在有条不紊地向前发展。中国科技的发展速度令人寒毛直竖，因此我们应该更加奋发图强。 美中韩的半导体竞争，其中中国芯片的发展速度远超韩国想象，对于发展速度的竞争，我感到很紧迫和焦躁。 如今的中国半导体产业，无论是逻辑芯片还是存储芯片，又或者是被“卡脖子”严重的供应链领域，都已经实现了显著的技术进步。 韩国半导体产业的起步，以及后续发家致富的核心产业就是存储芯片，中国存储企业在受到
